联氨对化学水浴沉积ZnS薄膜的影响

• 作者: 冒国兵 刘琪 敖建平
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 联氨 ZnS薄膜 化学水浴沉积(CBD) CIGS太阳电池
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 671-675
• 页数: 5页
• 分类号: TK511.4
• 字数: 3814字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2007.05.018

摘要

在A(ZnSO4、SC(NH2)2、NH4OH)和含有联氨的B(ZnSO4、SC(NH2)2、NH4OH、(NH2)2)两种水溶液中采用化学水浴法沉积ZnS薄膜,研究了联氨对薄膜沉积过程和薄膜性质的影响.结果表明,加入少量联氨以后,薄膜沉积速度明显增加.两种溶液沉积的ZnS都为立方相结构,且含有联氨的B溶液沉积的ZnS薄膜表面附着颗粒较少.在含有联氨的B溶液中沉积的ZnS薄膜结晶度和短波区的透过率均高于A溶液沉积的ZnS薄膜.将两种溶液沉积的ZnS薄膜作为电池缓冲层制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池,加入联氨沉积的ZnS制备的CIGS电池转换效率达到7.77%,比不加联氨沉积的ZnS制备的CIGS电池转换效率提高了1.3%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冒国兵	安徽工程科技学院机械工程系	30	160	9.0	11.0
2	刘琪	安徽工程科技学院机械工程系	28	151	8.0	11.0
3	敖建平	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	11	98	7.0	9.0