反应堆脉冲中子和γ射线辐照SiGe HBT器件的退火因子及典型直流参数测量分析

• 作者: 刘书焕 周辉 张伟 朱广宁 李君利 李达 林东生 江新标 邵贝贝 郭晓强 陈伟
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe HBT 瞬态辐射效应 反应堆 退火
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 745-749
• 页数: 5页
• 分类号: O571.33|O472.4|TN325.2
• 字数: 3103字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2007.09.006

摘要

本工作测量了反应堆脉冲中子、γ辐照SiGe HBT典型直流电参数和退火因子.在反应堆1×1013 cm2的脉冲中子注量和257 Gy(Si)γ总剂量辐照后,SiGe HBT静态共射极直流增益减小了20%.辐照后基极电流、结漏电流增大,集电极电流、击穿电压减小.初步分析了SiGe HBT瞬态中子、γ辐射损伤机理.