MoSi2价电子结构分析及结合能计算

• 作者: 冉丽萍 彭可 易茂中 陶辉锦
• 来源期刊: 中国有色金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: 二硅化钼 价电子 结合能 脆性
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 页码范围: 216-221
• 页数: 6页
• 分类号: TG148
• 字数: 3858字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-0609.2007.02.006

摘要

根据固体与分子经验电子理论,通过键距差(BLD)方法,计算了金属间化合物MoSi2的价电子结构和理论结合能.结果表明,MoSi2理论结合能为1 677.1 kJ/mol,与实验值吻合.由于Si原子偏移,沿〈001〉方向分布的Si-Si原子键共价电子数最多,nD=0.402 04.MoSi2晶体中含有较高密度的晶格电子,使MoSi2具有良好的导电性.MoSi2晶体中键络分布不均匀性是导致晶体脆性的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冉丽萍	中南大学粉末冶金国家重点实验室	67	398	12.0	16.0
2	易茂中	中南大学粉末冶金国家重点实验室	144	1058	17.0	23.0
3	彭可	中南大学粉末冶金国家重点实验室	62	490	12.0	19.0
4	陶辉锦	中南大学材料科学与工程学院	34	239	9.0	14.0