一种基于RTD和HEMT的单片集成逻辑电路

• 作者: 刘伟 戴扬 曾一平 杨富华 王良臣 郑厚植 马龙 黄应龙
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单稳态-双稳态转换逻辑单元 共振隧穿二极管 高电子迁移率晶体管 InGaAs GaAs
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 332-336
• 页数: 5页
• 分类号: TN015
• 字数: 1088字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.03.004

摘要

介绍了一种基于共振隧穿二极管(RTD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)的单片集成电路.采用分子束外延技术在GaAs底层上重叠生长了RTD和HEMT结构.RTD室温下的峰谷电流比为5.2∶1,峰值电流密度为22.5kA/cm2.HEMT采用1μm栅长,阈值电压为-1V.设计电路称为单稳态-双稳态转换逻辑单元(MOBILE).实验结果显示了该电路逻辑运行成功,运行频率可达2GHz以上.