正电子湮没谱研究Nb在TiAl合金中的掺杂效应

• 作者: 张兰芝 林均品 王丹妮 王宝义 王文俊 魏龙
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: 正电子湮没寿命 二维符合Doppler TiAl合金
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 269-272
• 页数: 4页
• 分类号: TG146.2|O571.33
• 字数: 3325字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2007.03.009

摘要

利用正电子湮没寿命谱(PALS)和符合Doppler展宽(CDB)技术研究了Ti51Al49合金中Nb的掺杂效应.结果表明:低含量掺杂时,Nb原子主要偏聚在合金晶界处,提高了晶界位置的自由电子密度,有利于改善合金的室温韧性;而较高含量的Nb掺杂时,由于形成了新的晶体结构,合金基体及晶界处的自由电子密度减少,导致合金的脆性增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王宝义	中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室	69	258	9.0	12.0
2	林均品	北京科技大学新金属材料国家重点实验室	112	1317	19.0	30.0
3	魏龙	中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室	50	325	10.0	16.0
4	王丹妮	中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室	9	30	2.0	5.0
8	张兰芝	中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室	1	14	1.0	1.0