DC-DC转换器中功率沟槽MOSFET的优化设计

• 作者: 冉峰 徐志平 沈伟星 程东方
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 功率沟槽MOSFET 通态电阻 栅-漏电荷 工艺模拟 器件模拟
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 页码范围: 157-160
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2007.08.047

摘要

利用工艺和器件模拟软件TSUPREM-4和MEDICI,研究了工艺参数对DC-DC转换器中的功率沟槽MOSFET的通态电阻Ron、栅-漏电容Cgd的影响以及栅-漏电荷Qgd在开关过程中的变化,指出了在设计和工艺上减小通态电阻Ron和栅-漏电容Cgd,提高器件综合性能的途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冉峰	上海大学微电子研究与开发中心	107	529	10.0	18.0
2	程东方	上海大学微电子研究与开发中心	18	112	6.0	10.0
3	沈伟星	上海大学微电子研究与开发中心	8	21	3.0	4.0
4	徐志平	上海大学微电子研究与开发中心	9	61	4.0	7.0