总剂量辐照加固的PDSOI CMOS 64k静态随机存储器

• 作者: 刘刚 周小茵 李多力 李晶 海潮和 赵发展 赵立新 郭天雷 韩郑生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 部分耗尽SOI 静态随机存储器 总剂量 辐照
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1184-1186
• 页数: 3页
• 分类号: TN47
• 字数: 925字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.08.004

摘要

在国内首次使得1.2μm部分耗尽SOI 64k静态随机存储器的抗总剂量能力达到了1×106 rad(Si),其使用了SIMOX晶圆. 在-55～125℃范围内,该存储器的数据读取时间几乎不变.在经过剂量为1×106 rad(Si)的总剂量辐照后,该存储器的数据读取时间也几乎不变,静态功耗仅从辐照前的0.65μA变化为辐照后的0.8mA,远远低于规定的10mA指标;动态功耗仅从辐照前的33mA变化为辐照后的38.1mA,远远低于规定的100mA指标.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子研究所	72	277	9.0	13.0
2	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
3	刘刚	中国科学院微电子研究所	207	2369	24.0	40.0
4	李晶	中国科学院微电子研究所	127	2691	28.0	50.0
5	李多力	中国科学院微电子研究所	16	52	4.0	6.0
6	郭天雷	中国科学院微电子研究所	8	33	3.0	5.0
7	赵立新	中国科学院微电子研究所	38	346	12.0	17.0
8	赵发展	中国科学院微电子研究所	13	109	5.0	10.0
9	周小茵	中国科学院微电子研究所	5	45	4.0	5.0