新型双RESURF TG-LDMOS器件结构

• 作者: 冯晖 张进城 李德昌 许晟瑞 郝跃
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: LDMOS RESURF 仿真 击穿电压 电容
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 232-236
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 1208字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.02.018

摘要

研究了采用双RESURF技术的槽栅横向双扩散MOSFET(DRTG-LDMOS).讨论了双RESURF技术对击穿电压的影响,以及DRTG-LDMOS的电容特性.与传统的槽栅器件结构相比,新结构在相同的漂移长度和导通电阻下,击穿电压提高了30V,并表现出优异的频率特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子学院	312	1866	17.0	25.0
2	李德昌	西安电子科技大学技术物理学院	20	82	6.0	7.0
3	张进城	西安电子科技大学微电子学院	52	301	9.0	14.0
4	许晟瑞	西安电子科技大学技术物理学院	6	24	3.0	4.0
5	冯晖	西安电子科技大学微电子学院	1	4	1.0	1.0