一种嵌入Bicmos带隙电路的过温保护电路

• 作者: 余国义 吴斯敏 邹雪城
• 来源期刊: 舰船电子工程
• 学科: 工学
• 关键词: BiCMOS 过温保护 PTAT电流源 迟滞功能
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 模拟与仿真
• 页码范围: 151-153
• 页数: 3页
• 分类号: TN709
• 字数: 2081字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1627-9730.2007.04.047

摘要

提出一种集成于带隙电路中的过温保护电路.该电路结构简单,在正常温度工作情况下不消耗额外功耗,具有低功耗的特性,同时电路不受电源电压变化的影响.电路采用JAZZ 0.5um BiCMOS工艺库模型,对电路进行仿真表明,电路对电源电压变化的抑制能力强、对阈值温度和迟滞温度差的精度高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹雪城	华中科技大学电子科学与技术系	310	2261	21.0	31.0
2	余国义	华中科技大学电子科学与技术系	20	135	6.0	10.0
3	吴斯敏	华中科技大学电子科学与技术系	1	8	1.0	1.0