SOI LDMOS功率器件的研究与制备

• 作者: 俞跃辉 姜丽娟 宋朝瑞 杨文伟 王芳 程新红
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: SOI材料 功率器件 LDMOS功率
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 11-13
• 页数: 3页
• 分类号: TN386
• 字数: 1843字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2007.02.004

摘要

根据REUSRF原理,对器件参数进行优化.采用与常规CMOS工艺兼容的技术,在SIMOX片上制备了薄膜SOI LDMOS功率器件.器件呈现良好的电学性能:漏极偏压5V时,泄漏电流仅为1nA;当漂移区长度为4μm时,关态击穿电压达到50V,开态击穿电压大于20V;器件的输出曲线在饱和区光滑,未呈现翘曲现象,说明体接触有效地抑制了部分耗尽器件的浮体效应.这种SOI LDMOS结构非常适合高温环境下功率电子方面的应用开发.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程新红	温州大学物理与电子信息学院	7	12	2.0	3.0
2	杨文伟	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	4	17	2.0	4.0
3	宋朝瑞	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	13	48	5.0	6.0
4	俞跃辉	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	20	55	5.0	6.0
5	姜丽娟	中国电子科技集团公司第四十七研究所	1	6	1.0	1.0
6	王芳	中国电子科技集团公司第四十七研究所	27	71	6.0	7.0