NiSi金属栅电学特性的热稳定性研究

• 作者: 单晓楠 李炎 蔡一茂 黄如
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属栅 Nisi 炉退火 快速热退火
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4943-4949
• 页数: 7页
• 分类号: TG1
• 字数: 4049字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.08.095

摘要

研究了NiSi金属栅的各种电学特性及其热稳定性,提出一个物理模型用于解释当形成温度大于500℃时NiSi功函数随退火温度升高而增大的现象.测量了不同退火温度形成的.NiSi材料的方块电阻,当退火温度大于400℃时,方块电阻达到最小,并在400-600℃范围内稳定.比较各种温度下形成的NiSi材料X射线衍射谱的变化,说明温度在400-600℃范围内NiSi相为最主要的成分.制备了以NiSi为金属栅的金属氧化物半导体电容.通过等效氧化层电荷密度及击穿电场Ebd的分布研究,说明炉退火时间较长将导致NiSi金属栅与栅介质之间界面质量下降、击穿电场降低,这种退火方式不适合作为NiSi金属栅的形成方式.系统研究了在各种快速热退火(RTA)温度下形成的NiSi金属栅电容的电学特性,通过C-V,Ig-Vg曲线及氧化层等效电荷密度的比较,说明了当RTA温度大于500℃时栅介质质量明显退化,因此400-500℃为理想的NiSi金属栅形成温度范围.进一步提取并分析了400,450,500和600℃条件下RTA形成的NiSi金属栅功函数及等效氧化层电荷,发现在600℃条件下NiSi金属栅功函数和氧化层等效电荷都有一个显著的增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄如	北京大学微电子系	87	413	9.0	17.0
2	李炎	北京大学微电子系	3	15	2.0	3.0
3	蔡一茂	北京大学微电子系	3	5	2.0	2.0
4	单晓楠	北京大学微电子系	2	5	2.0	2.0