亚65nm工艺新型p结构多米诺与门设计

• 作者: 侯立刚 冯守博 吴武臣 宫娜 段丽莹 汪金辉 董利民
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 低功耗 漏电流 p型多米诺与门 噪声容限
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1818-1823
• 页数: 6页
• 分类号: TN4
• 字数: 3699字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.11.029

摘要

利用休眠晶体管、多阈值和SEFG技术(源跟随求值门技术),设计了一种新型的p结构多米诺与门.HSPICE仿真结果表明,在相同的时间延迟下,与标准双阈值多米诺与门、标准低阈值多米诺与门和SEFG结构相比,提出的新型多米诺与门的漏电流分别减小了43%,62%和67%,噪声容限分别增大了3.4%,23.6%和13.7%.从而有效地解决了亚65nm工艺下多米诺与门存在的漏电流过大,易受干扰的问题.分析并得到了不同结构的休眠多米诺与门的漏电流最低的输入矢量和时钟状态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴武臣	北京工业大学集成电路与系统研究室	54	459	12.0	18.0
2	侯立刚	北京工业大学集成电路与系统研究室	75	360	11.0	15.0
3	董利民	北京工业大学集成电路与系统研究室	15	150	7.0	12.0
4	汪金辉	北京工业大学集成电路与系统研究室	36	129	6.0	9.0
5	宫娜	河北大学电子信息工程学院	9	36	4.0	5.0
6	冯守博	北京工业大学集成电路与系统研究室	2	9	1.0	2.0
7	段丽莹	北京工业大学集成电路与系统研究室	2	9	1.0	2.0