化学气相传输法大尺寸ZnO单晶生长模式控制

• 作者: 李晋闽 董志远 赵有文 魏学成
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO 化学气相传输 生长模式 二维成核
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 300-305
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 4795字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.076

摘要

借助传输剂的作用,化学气相传输法(CVT)ZnO单晶生长过程具有足够高的组分过饱和蒸气压,因而具有很强的生长驱动力.控制单晶的成核和生长模式成为获得大尺寸ZnO单晶的关键.对不同条件下CVT法ZnO单晶生长的实验现象、晶体表面形貌和晶体质量进行了研究分析,给出了晶体生长模式与生长温度、化学配比等条件的关系.并在此基础上实现了ZnO单晶的二维成核生长模式的控制,获得厚度均匀、单一晶向的高质量大尺寸ZnO单晶.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晋闽	中国科学院半导体研究所	75	652	13.0	23.0
2	赵有文	中国科学院半导体研究所	42	217	7.0	11.0
3	董志远	中国科学院半导体研究所	25	154	7.0	11.0
4	魏学成	中国科学院半导体研究所	8	83	5.0	8.0