Y2O3涂层的MOCVD法制备工艺

• 作者: 付正 何国梅 夏海平 张立同 成来飞 罗立志 龚磊
• 来源期刊: 航空制造技术
• 学科: 航空航天
• 关键词: 氧化钇 化学气相沉积 金属有机先驱体 基片
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 所属期刊栏目: 高性能复合材料结构制造技术
• 页码范围: 16-19
• 页数: 4页
• 分类号: V2
• 字数: 2117字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-833X.2007.z1.005

摘要

采用MOCVD法,通过金属有机先驱体Y(TMHD)3与O2反应在石英或CVD-SiC基片上制备Y2O3涂层,探索了制备工艺对沉积结果的影响.结果表明,先驱体气相浓度对Y2O3涂层生长方式和涂层与基片的结合强度有很大影响;沉积温度在600℃～700℃范围内,随着温度的升高涂层致密度提高,空洞缺陷减少.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	成来飞	西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室	259	2656	22.0	40.0
2	张立同	西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室	248	2867	24.0	42.0
3	夏海平	厦门大学化学化工学院	54	660	15.0	24.0
4	何国梅	厦门大学化学化工学院	8	54	4.0	7.0
5	龚磊	厦门大学化学化工学院	2	1	1.0	1.0
6	付正	西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室	1	1	1.0	1.0
7	罗立志	厦门大学化学化工学院	1	1	1.0	1.0