一种新型的基于pMOS和nMOS阈值电压差的CMOS电压基准源

• 作者: 孔明 张科 李文宏 郭健民
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纯MOS结构 电压基准 阈值电压 温度系数 线性调整率
• 年，卷（期）: 2007,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1546-1550
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 399字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.10.010

摘要

提出了一种新的纯MOS结构的基准电压源,它利用pMOS和nMOS的阈值电压差来抵消工艺偏差,提高了基准的精度.该电路经过Chartered 0.35mm标准CMOS工艺成功流片,芯片面积为0.022mm2.测试结果表明:输出平均电压在室温下与仿真结果的绝对误差为6mV,在0～100℃范围内温度系数为180ppm/℃,电源调整率为±1.1%.该基准应用于自适应功率管驱动器中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李文宏	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	26	186	8.0	12.0
2	张科	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	7	26	3.0	5.0
3	孔明	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	7	56	5.0	7.0
4	郭健民	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	6	54	3.0	6.0