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美国HRL实验室在高频GaN研制上取得重大突破
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摘要：
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文献信息
| 篇名 | 美国HRL实验室在高频GaN研制上取得重大突破 | ||
| 来源期刊 | 半导体信息 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | ALGAN HRL 宽带无线通信 分子束外延技术 单片集成电路 器件结构 材料处理 功率密度 异质结结构 数据传输技术 | ||
| 年，卷（期） | bdtxx_2007,（4） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 23-24 | |
| 页数 | 2页 | 分类号 | TN722.75 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
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研究主题发展历程
节点文献
ALGAN
HRL
宽带无线通信
分子束外延技术
单片集成电路
器件结构
材料处理
功率密度
异质结结构
数据传输技术
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相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
主办单位：
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
出版周期：
双月刊
ISSN：
CN：
开本：
16开
出版地：
南京市1601信箱43分箱（南京市中山东
邮发代号：
创刊时间：
1990
语种：
chi
出版文献量（篇）
5953
总下载数（次）
11
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