络合剂对化学水浴沉积 ZnS薄膜的影响

• 作者: 冒国兵 刘琪 敖建平
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 化学水浴沉积(CBD) 络合剂 ZnS薄膜 Cu(InGa)Se2太阳电池
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 382-385
• 页数: 4页
• 分类号: TK511.4
• 字数: 3510字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2007.03.014

摘要

采用不同络合剂化学水浴沉积ZnS薄膜,应用台阶仪、SEM、XRD、波谱仪等手段测定了ZnS薄膜的厚度、表面、物相结构及透过率等.结果表明,氨水体系沉积薄膜速度明显慢于另外两种体系,沉积的ZnS薄膜都为立方结构.柠檬酸钠体系沉积的ZnS 薄膜结晶和透过率最佳,但薄膜表面缺陷较多;氨水-联氨体系沉积的ZnS薄膜表面质量最佳,结晶和透过率也较好;氨水体系沉积的ZnS薄膜质量较差.用3种体系沉积的ZnS薄膜用于制备铜铟镓硒Cu(In,Ga)Se2太阳电池,氨水和氨水-联氨体系沉积的ZnS薄膜制备的电池转换效率明显高于柠檬酸钠体系沉积的ZnS制备的太阳电池.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冒国兵	安徽工程科技学院机械系	30	160	9.0	11.0
2	刘琪	安徽工程科技学院机械系	28	151	8.0	11.0
3	敖建平	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	11	98	7.0	9.0