八羟基喹啉镉薄膜制备及其光学特性

• 作者: 宋长安 彭应全 李训栓 杨青森 路飞平 邢宏伟
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 八羟基喹啉镉 薄膜 折射率 消光系数
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1063-1068
• 页数: 6页
• 分类号: O47
• 字数: 3500字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.07.012

摘要

用真空蒸镀方法,在玻璃衬底上制备了衬底温度不同的八羟基喹啉镉薄膜.XRD分析表明,八羟基喹啉镉薄膜呈多晶态,且衬底温度越高,衍射峰越强,薄膜的结晶性能逐渐变好,结晶晶粒尺度也越大.AFM研究表明,衬底温度升高,薄膜表面形貌越均匀有序,质量变好.MM-16相调制型椭圆偏振光谱仪研究发现,衬底温度升高导致反蒸发增强,薄膜生长速率减小,随着入射光波长的增加,薄膜的折射率和消光系数逐渐减小.随着衬底温度升高,因薄膜晶粒尺度增大,折射率和消光系数也增大;并给出了它们的变化范围.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋长安	兰州大学物理科学与技术学院	27	86	4.0	8.0
2	李训栓	兰州大学物理科学与技术学院	26	32	3.0	4.0
3	彭应全	兰州大学物理科学与技术学院	30	95	6.0	8.0
4	杨青森	兰州大学物理科学与技术学院	9	27	3.0	4.0
5	路飞平	兰州大学物理科学与技术学院	3	10	2.0	3.0
6	邢宏伟	兰州大学物理科学与技术学院	6	22	3.0	4.0