干法氧化制备SiGe弛豫缓冲层及其表征

• 作者: 张永 李成 蔡坤煌 赖虹凯 陈松岩
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化 锗硅弛豫缓冲层 位错
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1937-1940
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2613字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.12.015

摘要

SiGe弛豫缓冲层是高性能Si基光电子与微电子器件集成的理想平台.通过1000℃干法氧化组分均匀的应变Si0.88Ge0.12层,在Si衬底上制备了表面Ge组分大于0.3,弛豫度大于95%,位错密度小于1.2×105cm-2的Ge组分渐变SiGe弛豫缓冲层.通过对不同氧化时间的样品的表征,分析了氧化过程中SiGe应变弛豫的主要机制.