300 V IGBT的设计

• 作者: 周昕杰 孙伟锋
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT击穿电压 阈值电压 开关特性
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 页码范围: 2091-2095
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 3588字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.06.031

摘要

为了设计一款300 V IGBT,从理论分析了IGBT各工艺参数与器件主要性能之间的关系.并利用Tsuprem4和Medici软件,重点研究了器件工艺参数对器件击穿电压、阈值电压的影响,同时分析了IGBT器件的开关特性及其影响因素,最终得到了兼容CMOS工艺的300 V IGBT的最佳结构、工艺参数.通过计算机模拟得知,该器件的关态和开态的击穿电压都达到了要求,阈值电压为2 V,而且兼容目前国内的CMOS工艺,可以很好地应用于各种高压功率集成电路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙伟锋	东南大学集成电路学院	105	634	13.0	19.0
2	周昕杰	东南大学集成电路学院	4	13	3.0	3.0