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基于GaAs半导体太阳电池技术发展概况
基于GaAs半导体太阳电池技术发展概况
作者:
孙强
郭爱萍
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
砷化镓
多结级联太阳电池
电池材料
摘要:
介绍了基于GaAs的Ⅲ-V族化合物半导体太阳电池光电转换效率高、抗辐照性能好、高温性能好的优点,简述了其技术发展的历史和现状,并对它的技术发展前景进行了展望.
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文献信息
篇名
基于GaAs半导体太阳电池技术发展概况
来源期刊
电源技术
学科
工学
关键词
砷化镓
多结级联太阳电池
电池材料
年,卷(期)
2007,(9)
所属期刊栏目
综述
研究方向
页码范围
757-758
页数
2页
分类号
TM914.4
字数
2687字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1002-087X.2007.09.023
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
孙强
中国电子科技集团公司第十八研究所
32
139
7.0
10.0
2
郭爱萍
中国电子科技集团公司第十八研究所
3
36
2.0
3.0
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二级参考文献(0)
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二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
砷化镓
多结级联太阳电池
电池材料
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电源技术
主办单位:
中国电子科技集团第十八研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1002-087X
CN:
12-1126/TM
开本:
大16开
出版地:
天津296信箱44分箱
邮发代号:
6-28
创刊时间:
1977
语种:
chi
出版文献量(篇)
9323
总下载数(次)
56
总被引数(次)
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