基于应变Si/SiGe的CMOS电特性模拟研究

• 作者: 任冬玲 张鹤鸣 王伟 舒斌
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结互补金属氧化物半导体场效应晶体管 应变Si 应变SiGe 垂直层叠
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 397-401
• 页数: 5页
• 分类号: TN303|TN386.1
• 字数: 2569字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.05.008

摘要

提出了一种应变Si/SiGe异质结CMOS结构,采用张应变Si作n-MOSFET沟道,压应变SiGe作p-MOSFET沟道,n-MOSFET与p-MOSFET采用垂直层叠结构,二者共用一个多晶SiGe栅电极.分析了该结构的电学特性与器件的几何结构参数和材料物理参数的关系,而且还给出了这种器件结构作为反相器的一个应用,模拟了其传输特性.结果表明所设计的垂直层叠共栅结构应变Si/SiGe HCMOS结构合理、器件性能提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	舒斌		2	30	2.0	2.0
2	张鹤鸣		2	30	2.0	2.0
3	任冬玲		2	30	2.0	2.0
4	王伟		1	5	1.0	1.0