分步插层法制备含磷化合物插层GIC的研究

• 作者: 吴泽 张显友 张达威
• 来源期刊: 化学工程师
• 学科: 化学
• 关键词: 石墨层间化合物 分步插层 磷酸 磷酸铵 聚磷酸铵
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 科研与开发
• 页码范围: 8-10
• 页数: 3页
• 分类号: TH145.1|O613.71
• 字数: 2735字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-1124.2007.02.003

摘要

本文采用化学氧化直接插层和分步插层法制备含磷化合物插层GIC,通过对GIC的受热失重变化及膨胀前后石墨层间结构变化的研究表明:直接插层体系的最佳工艺条件为石墨∶H2SO4∶K2Cr2O4(质量比)=1∶4.92∶0.1;分步插层法制备含磷化合物插层GIC的最佳工艺条件为:对直接插层产物水洗pH值为3后,用含磷化合物溶液在30℃下浸泡1 h.分步插层法所制得含磷化合物插层GIG的抗氧化性能提高.X-射线衍射(XRD)对GIC的结构研究表明,插层后石墨层间距离发生了显著变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张达威	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	4	45	3.0	4.0
2	张显友	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	43	323	11.0	16.0
3	吴泽	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	42	296	9.0	16.0