曲折状CoFeSiB三明治薄膜及其巨磁阻抗效应

• 作者: 周勇 周志敏 张桂林
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 CoFeSiB/Cu/CoFeSiB 巨磁阻抗 曲折状结构 三明治薄膜 MEMS
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 16-19
• 页数: 4页
• 分类号: TM127
• 字数: 3317字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2007.08.005

摘要

利用射频磁控溅射技术及MEMS技术,制备了曲折状三明治结构的CoFeSiB/Cu/CoFeSiB多层膜,在l～40 MHz频率下,研究了多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应以及相应的电阻、电抗变化率.结果表明:曲折状三明治结构多层膜的巨磁阻抗效应,比单层膜有较大的提高,纵向和横向最大GMI效应分别为12.2 %和-18.6 %.