GaAs(110)量子阱材料生长和光学特性

• 作者: 刘宝利 刘林生 刘肃 周均铭 王佳 王文新 蒋中伟 赵宏鸣 陈弘 高汉超 黄庆安
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 光荧光谱 砷化镓 量子阱 分子束外延
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 现代应用光学
• 页码范围: 678-683
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.23
• 字数: 3533字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-924X.2007.05.011

摘要

GaAs (110)衬底上生长GaAs外延层时,不同生长条件下存在单层和双层两种生长模式,对应反射高能电子衍射(RHEED)强度振荡呈现出单双周期的变化.通过透射电子显微镜(TEM)、室温和低温光荧光谱(PL谱)对两种生长模式下的样品进行了测量.结果表明,量子阱样品在双层生长模式下光学性能较差,单层生长模式下光学性能比较好,但是量子阱界面会变得粗糙.利用这一特点,采用RHEED强度振荡技术,能够实现在GaAs(110)衬底上生长高质量量子阱.