Si衬底上5.1W/mm功率密度的GaN HEMT

• 作者: 冯志宏 冯震 刘波 尹甲运 张志国 李效白 杨克武 梁栋 王勇 蔡树军 袁凤坡 默江辉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si衬底 GaN HEMT XRD半高宽 二维电子气迁移率 功率密度
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1949-1951
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 1892字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.12.018

摘要

利用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长了高质量的GaN HEMT材料.1μm厚GaN外延层XRD (002) 摇摆曲线半高宽573″,(102) 摇摆曲线半高宽668″.通过插入层技术实现2μm厚GaN HEMT材料无裂纹,室温二维电子气迁移率1350cm2/(V·s),方块电阻328Ω/□.1mm栅宽GaN微波功率器件饱和电流大于0.8A/mm,跨导大于250mS/mm,2GHz下最大连续波输出功率5.1W,增益9.1dB,附加效率达到35%.