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通过TRL校准提取管芯S参数的技术
通过TRL校准提取管芯S参数的技术
作者:
冯彬
刘英坤
孙艳玲
董四华
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
TRL校准
管芯S参数
仿真
摘要:
介绍了一种基于TRL法的提取管芯S参数的方法.该方法从TRL校准出发,实际测量得到封装器件的S参数;管芯以外的参量(管壳及键和线)用等效电路表示,最后用微波仿真软件模拟得到管芯S参数.此方法在没有精确的测试夹具条件下,仍可以得到较理想的器件和管芯S参数.实验证明该方法简便、实用性强,可推广应用于不宜直接测量管芯S参数的器件.
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在片 S 参数
晶体管表征
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相关文献总数
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(/年)
文献信息
篇名
通过TRL校准提取管芯S参数的技术
来源期刊
半导体技术
学科
工学
关键词
TRL校准
管芯S参数
仿真
年,卷(期)
2007,(2)
所属期刊栏目
封装、测试与没备
研究方向
页码范围
174-177
页数
4页
分类号
TN385|TN402
字数
1787字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1003-353X.2007.02.021
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
刘英坤
河北工业大学信息工程学院
30
183
8.0
12.0
3
冯彬
中国电子科技集团公司第十三研究所
5
45
4.0
5.0
4
董四华
河北工业大学信息工程学院
6
31
3.0
5.0
8
孙艳玲
中国电子科技集团公司第十三研究所
5
31
3.0
5.0
传播情况
被引次数趋势
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引文网络
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共引文献
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(2)
节点文献
引证文献
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同被引文献
(6)
二级引证文献
(18)
1979(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2004(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2007(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2008(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2009(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2010(3)
引证文献(3)
二级引证文献(0)
2011(2)
引证文献(2)
二级引证文献(0)
2012(2)
引证文献(2)
二级引证文献(0)
2013(3)
引证文献(2)
二级引证文献(1)
2014(2)
引证文献(2)
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2015(4)
引证文献(1)
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引证文献(3)
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二级引证文献(3)
2019(3)
引证文献(0)
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2020(2)
引证文献(0)
二级引证文献(2)
研究主题发展历程
节点文献
TRL校准
管芯S参数
仿真
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
开本:
大16开
出版地:
石家庄179信箱46分箱
邮发代号:
18-65
创刊时间:
1976
语种:
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
总被引数(次)
24788
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