质子辐照对超辐射发光二极管性能的影响

• 作者: 孙孟相 赵妙
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 超辐射发光二极管(SLD) 辐照损伤 出光功率 TRIM程序 注量
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 478-481
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2149字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.122

摘要

用能量分别为350keV和1MeV,注量为1×1012和1×1013p/cm2的质子对超辐射发光二极管(SLD)进行辐照,对辐照前后器件的光学和电学性能进行了测试.结果表明,在相同注量辐照的条件下,350keV与1MeV能量质子辐照引起的辐照损伤相比,前者引起的出光功率的退化更大,造成的辐照损伤更加严重.采用TRIM程序对质子入射到器件材料中的射程分布进行了模拟,初步探讨了SLD在350keV和1MeV能量质子辐照下的损伤效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵妙	中国科学院半导体研究所	5	20	3.0	4.0
2	孙孟相	中国科学院半导体研究所	2	17	2.0	2.0