n-GaN基Ti/Al/Ni/Au的欧姆接触高温特性

• 作者: 冯士维 吕长志 张弓长 张跃宗 王承栋
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 欧姆接触 接触电阻率 退火 高温
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 984-988
• 页数: 5页
• 分类号: TN306
• 字数: 2375字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.06.032

摘要

研究了在高温工作环境下Ti/Al/Ni/Au(15nm/220nm/40nm/50nm)四层复合金属层与n-GaN的欧姆接触的高温工作特性.退火后样品在500℃高温下工作仍能显示出良好的欧姆接触特性;接触电阻率随测量温度的增加而增大,且增加幅度与掺杂浓度有密切关系.掺杂浓度越高,其接触电阻率随测量温度的升高而增加越缓慢;重掺杂样品的Ti/Al/Ni/Au-n-GaN欧姆接触具有更佳的高温可靠性;当样品被施加500℃,1h的热应力后,其接触电阻率表现出不可恢复性增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕长志	北京工业大学电子信息与控制工程学院	60	471	12.0	18.0
2	张跃宗	北京工业大学电子信息与控制工程学院	10	105	6.0	10.0
3	冯士维	北京工业大学电子信息与控制工程学院	59	438	12.0	18.0
4	张弓长	北京工业大学电子信息与控制工程学院	5	18	2.0	4.0
5	王承栋	北京工业大学电子信息与控制工程学院	7	31	3.0	5.0