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可控硅YCR008触发电流IGT跳档的探讨
可控硅YCR008触发电流IGT跳档的探讨
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摘要：
可控硅触发电流IGT经常出现跳档,本文着重分析可控硅YCR008跳档原因并提出解决方案.
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研究主题发展历程
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IGT
VRGM
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漏电流
软击穿
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子质量
主办单位：
中国电子质量管理协会
工业和信息化部电子第五研究所(中国赛宝实验室)
出版周期：
月刊
ISSN：
1003-0107
CN：
44-1038/TN
开本：
大16开
出版地：
广州市五羊新城广兴花园32号一层
邮发代号：
46-39
创刊时间：
1980
语种：
chi
出版文献量（篇）
7058
总下载数（次）
32
总被引数（次）
15176
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