采用高压RF-PECVD法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料

• 作者: 侯国付 孙建 张建军 张德坤 耿新华 薛俊明 袁育杰 赵颖
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: p型微晶硅 高压RF-PECVD 太阳电池
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 85-88
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2026字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.01.019

摘要

本文报道了采用高压射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料的结果.重点研究了反应压力和辉光功率对p型微晶硅材料结构和电学特性的影响.通过沉积参数的优化,在很薄的厚度(33nm)时,材料的暗电导率依然达到1.81S/cm,激活能达25meV,晶化率为57%.文中还对高压RF-PECVD能够制备p型微晶硅材料的生长机理和高电导机理进行了分析.