5Gb/s单片集成GaAs MSM/PHEMT 850nm光接收机前端

• 作者: 冯欧 叶玉堂 李拂晓 焦世龙 蒋幼泉 邵凯 钱峰 陈堂胜
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属-半导体-金属光探测器 分布放大器 光接收机 眼图
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 587-591
• 页数: 5页
• 分类号: TN929.1
• 字数: 1930字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.04.022

摘要

采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制出了一种单片集成850nm光接收机前端,它包括金属-半导体-金属(MSM)光探测器和分布放大器.探测器光敏面积为50μm×50μm,电容为0.17pF,4V偏压下的暗电流小于17nA.分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz～16GHz范围内,输入、输出电压驻波比均小于2;噪声系数在3.03～6.5 dB之间.光接收机前端在输入2.5和5Gb/s非归零伪随机二进制序列调制的光信号下,得到较为清晰的输出眼图.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯欧		4	21	3.0	4.0
2	蒋幼泉		34	192	9.0	11.0
3	李拂晓		60	352	10.0	14.0
4	邵凯		18	73	6.0	8.0
5	叶玉堂	电子科技大学光电信息学院	170	1471	17.0	30.0
6	焦世龙	电子科技大学光电信息学院	16	90	6.0	8.0
8	钱峰		23	89	6.0	8.0
9	陈堂胜		12	76	6.0	8.0