几种新颖的高精度带隙基准源二次补偿方法

• 作者: 江志伟 谢憬
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 带隙基准源 二次补偿 温度系数 CMOS
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 工控技术
• 页码范围: 159-161,164
• 页数: 4页
• 分类号: TN36
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2007.01.055

摘要

二次温度补偿的带隙基准源是先进模拟和混合集成电路中的重要部分.分析高精度带隙基准源二次补偿的基本原理,并从两个方向出发介绍了3种国内外新颖的基于亚微米CMOS工艺的带隙基准源二次温度补偿方法,通过性能比较,提出了应用于先进高精度系统的可行方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢憬	上海交通大学微电子学院	49	118	6.0	9.0
2	江志伟	上海交通大学微电子学院	1	5	1.0	1.0