(GaP)n和(GaP)-n(n=10～16)团簇的结构与稳定性研究

• 作者: 武海顺 贾建峰 郭彩红
• 来源期刊: 化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 密度泛函理论 (GaP)n和(GaP)n-团簇 垂直电离能 绝热电子亲合势
• 年，卷（期）: 2007,（17）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1836-1840
• 页数: 5页
• 分类号: O6
• 字数: 4161字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0567-7351.2007.17.017

摘要

采用密度泛函理论B3LYP/Lanl2dz方法对(GaP)n和(GaP)-n(n=10～16)团簇的一系列异构体的结构和稳定性进行了研究.讨论了中性团簇得到一个电子之后,几何结构和电子性质的变化.频率分析预测出最强吸收峰位于341～390 cm-1区域.从能隙、结合能和能量二次差分等方面综合考虑,具有Th对称性的(GaP)12和(GaP)-12分别是中性(GaP)n和阴离子(GaP)-n团簇中最稳定的,而具有Td点群结构的(GaP)16也比较稳定,究竟哪种结构易于合成还有待于实验的进一步证实.在相同理论水平上计算了基态(GaP)n(n=10～16)的绝热电子亲合势(AEAs)及其基态阴离子的垂直电离能(vDEs),这对以后的实验数据分析将有一定的参考价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	武海顺	山西师范大学化学与材料科学学院	126	524	11.0	16.0
2	贾建峰	山西师范大学化学与材料科学学院	23	79	6.0	8.0
3	郭彩红	山西师范大学化学与材料科学学院	6	7	2.0	2.0