纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备与光致发光特性

• 作者: 吕蓬 曾友华 王启明 申继伟 郭亨群
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 射频磁控反应溅射 氮化硅薄膜 纳米硅 光致发光
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 微/纳工艺、材料与器件
• 页码范围: 820-823
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.92
• 字数: 3043字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.09.022

摘要

为研究氮化硅薄膜发光材料的制备工艺及其光致发光机制,实验采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了纳米硅镶嵌氮化硅薄膜材料.利用红外光谱(IR)、X射线衍射谱(XRD)、能谱(EDS)和光致发光谱(PL),对不同工艺条件下薄膜样品的成分、结构和发光特性进行研究,发现在制备的富硅氮化硅薄膜材料中形成了纳米硅颗粒,并计算出其平均尺寸.在510 nm光激发下,观察到纳米硅发光峰,对样品发光机制进行了讨论,认为其较强的发光起因于缺陷态和纳米硅发光.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王启明	中国科学院半导体研究所	118	735	14.0	20.0
2	郭亨群	华侨大学信息科学与工程学院	40	180	8.0	11.0
3	申继伟	华侨大学信息科学与工程学院	5	23	4.0	4.0
4	吕蓬	华侨大学信息科学与工程学院	7	29	4.0	5.0
5	曾友华	华侨大学信息科学与工程学院	3	22	3.0	3.0