SET/CMOS混合器件研究

• 作者: 史党院 蔡理 邵一丹
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米管 纳米线 单电子晶体管 金属氧化物半导体场效应晶体管
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 175-177,189
• 页数: 4页
• 分类号: TN321
• 字数: 2930字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2007.04.003

摘要

阐述了纳米线和纳米管电子器件的研究状况,对两种SET/CMOS基本混合器件的结构和应用以及仿真实现方法进行了论述.总结了SET/CMOS混合器件的特点.对纳米电子器件的发展进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡理	空军工程大学理学院	136	382	8.0	11.0
2	史党院	空军工程大学理学院	2	3	1.0	1.0
3	邵一丹	空军工程大学理学院	2	3	1.0	1.0