励磁系统换向过电压阻容保护装置的仿真研究

• 作者: 冯运 廖瑞金 程涣超 陆云才 陈辉
• 来源期刊: 高电压技术
• 学科: 工学
• 关键词: 可控硅 励磁系统 换相过电压 仿真 阻容保护 抑制
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 过电压与绝缘
• 页码范围: 26-29
• 页数: 4页
• 分类号: TM862
• 字数: 3165字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-6520.2007.07.006

摘要

阻容式过电压保护装置广泛用于可控硅励磁系统周期性换相过电压的抑制,各种阻容保护方案的优劣及阻容参数的选取一直是现场应用的一大难点.为寻找阻容抑制的最佳方案并指导现场工程师合理选择参数,介绍了一种基于Saber建模仿真分析的方法,通过建立励磁系统及整流式、三角形、星型3种阻容保护方案的仿真模型,仿真分析了各种阻容抑制装置的抑制结果以及不同阻容参数配合下的抑制结果.结果表明:现场实测结果与仿真结果一致性好,具有良好的工程实用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	廖瑞金	重庆大学高电压与电工新技术教育部重点实验室	223	6135	43.0	64.0
2	陆云才	重庆大学高电压与电工新技术教育部重点实验室	5	89	5.0	5.0
3	程涣超	重庆大学高电压与电工新技术教育部重点实验室	4	101	4.0	4.0
7	冯运	重庆大学高电压与电工新技术教育部重点实验室	5	80	5.0	5.0
8	陈辉		2	19	2.0	2.0