F-P光纤传感器的损耗特性分析及其研制

• 作者: 孙桂玲 李维祥 王文博 郭振武 郭转运
• 来源期刊: 仪表技术与传感器
• 学科: 物理学
• 关键词: 光纤传感器 F-P干涉仪 能量损耗 腔长
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 仪器与仪表
• 页码范围: 11-14
• 页数: 4页
• 分类号: O43
• 字数: 2937字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-1841.2007.05.005

摘要

对反射型非本征F-P干涉型(Extrinsic Fabry-Perot Interfemmeter,EFPI)光纤传感器的损耗特性进行了分析,表明当腔长小于100μm时,随着腔的变长光能量耦合损耗迅速增加;在考虑腔损耗的情况下,分析了如何合理选择两反射面的反射率以使输出光强的对比度达到最大;通过分析在制作F-P腔的过程中影响腔长变化的原因,总结出了一个可以准确控制和调整腔长的方法;依以上规则制作了F-P光纤传感器,并进行了实验验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李维祥	南开大学信息技术科学学院	27	161	7.0	11.0
2	孙桂玲	南开大学信息技术科学学院	43	142	6.0	9.0
3	郭转运	南开大学信息技术科学学院	22	856	15.0	22.0
4	郭振武	南开大学信息技术科学学院	8	51	4.0	7.0
5	王文博	南开大学信息技术科学学院	4	31	2.0	4.0