界面掺杂FeMn对CoFe/CrPt交换偏置体系的影响

• 作者: 代波 蔡健旺 赖武彦
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 交换偏置 钉扎场 反铁磁
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 727-729,733
• 页数: 4页
• 分类号: O482.54|O484.4
• 字数: 3022字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2007.05.012

摘要

采用磁控溅射的方法制备了CoFe/CrPt钉扎的交换偏置体系,用外加磁场真空退火以获得钉扎场.通过把反铁磁的FeMn掺入到该钉扎体系中发现,约0.7nm厚度的FeMn掺入在CoFe/CrPt的界面时,可以使体系的钉扎场从原来的5.6×103A/m增加到1.55×104A/m,而体系的Blocking温度仍然可以达到600℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赖武彦	中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室	23	143	7.0	11.0
2	代波	西南科技大学材料科学与工程学院	16	156	5.0	12.0
6	蔡健旺	中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室	1	0	0.0	0.0