倒装GaN基发光二极管阵列微透镜的粗化技术

• 作者: 伊晓燕 刘志强 王立彬 王良臣 郭德博 陈宇 马龙
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN基LED ICP 阵列微透镜 粗化
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 496-499
• 页数: 4页
• 分类号: TN312+.8
• 字数: 1751字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.127

摘要

通过模拟计算,分析了阵列微透镜粗化对倒装结构GaN基LED提取效率的影响.并采用感应耦合等离子(ICP)干法刻蚀技术在蓝宝石表面制备阵列微透镜,实现倒装结构GaN基LED出光面粗化.测试结果表明,相对于普通倒装结构,阵列微透镜表面粗化可以使LED提取效率提高约50%,测试结果与模拟计算值相符合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘志强	中国科学院半导体研究所集成技术中心	280	3753	31.0	42.0
2	陈宇	中国科学院半导体研究所集成技术中心	87	614	12.0	20.0
3	马龙	中国科学院半导体研究所集成技术中心	50	495	14.0	21.0
4	王良臣	中国科学院半导体研究所集成技术中心	31	192	8.0	13.0
5	王立彬	中国科学院半导体研究所集成技术中心	5	46	4.0	5.0
6	伊晓燕	中国科学院半导体研究所集成技术中心	11	52	4.0	7.0
7	郭德博	中国科学院半导体研究所集成技术中心	5	66	3.0	5.0