基于IGCT串联的三电平高压变频器直流环节研究

• 作者: 崔艳艳 李国栋 毛承雄 陆继明
• 来源期刊: 中国电机工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 开关频率 IGCT 中点钳位 三电平 直流环节
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 电力系统
• 页码范围: 82-87
• 页数: 6页
• 分类号: TM7
• 字数: 2995字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-8013.2007.01.015

摘要

将IGCT串联技术应用于中性点箝位型三电平高压大功率变频器,研究了变频器直流环节(包括限流电感、箝位电容及限流电阻)对变频器安全运行的影响.通过分析三电平结构的开关暂态过程,建立了变频器暂态开关数学模型,并设计了直流环节部分的限流电抗.在综合考虑三电平的开关过程、直流限流电感的大小及IGCT过压能力的基础上,研究了直流箝位电容对变频器逆变侧持续性直流电压的影响,并推导了直流箝位电容及限流电阻的设计要求.基于PDPWM调制方式,分析了限流电阻对死区时间、最小脉宽及开关频率对开通及关断di/dt的影响,并基于IGCT5SHX14H4502文中设计了6kV、2.5MW二极管箝位型三电平中压变频器直流环节,并通过了6kV高压试验的检验,仿真结果验证了所选参数的有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛承雄	华中科技大学电气与电子工程学院	161	4685	38.0	61.0
2	陆继明	华中科技大学电气与电子工程学院	133	3470	32.0	52.0
3	李国栋	华中科技大学电气与电子工程学院	10	339	9.0	10.0
4	崔艳艳	华中科技大学电气与电子工程学院	2	40	2.0	2.0