Zn掺杂SnO2纳米线的制备与结构表征

• 作者: 孟慧 王聪
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SnO2纳米线 化学气相沉积 Zn掺杂
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 267-270
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 1566字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.067

摘要

利用化学气相沉积(CVD)方法,通过金属Sn粉和Zn粉在770℃下与氧气直接反应,以金为催化剂,成功地在硅片基底上制备了Zn掺杂的SnO2纳米线.对其制备参数进行了优化,获得了分布均匀、表面光滑的纳米线,其平均直径约为50nm,长度可达几十微米.并利用X射线衍射(XRD)、能谱分析(EDX)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、透射电镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)等设备对其形貌、结构特征进行了表征.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王聪	北京航空航天大学理学院凝聚态物理与材料物理研究中心	45	510	12.0	21.0
2	孟慧	北京航空航天大学理学院凝聚态物理与材料物理研究中心	1	3	1.0	1.0