OH-在Si(100)面上的吸附与脱附作用机理

• 作者: 孙岳明 宋坤忠 王涓 王育乔 齐齐
• 来源期刊: 东南大学学报（自然科学版）
• 学科: 化学
• 关键词: 硅 腐蚀 吸附 势能曲线 Hartree-Fock
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 141-143
• 页数: 3页
• 分类号: O641
• 字数: 1163字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-0505.2007.01.030

摘要

利用高斯98中的Hartree-Fock(HF)方法研究了OH-与Si(100)面的吸附和脱附作用机理,计算了OH-在Si(100)面三种(顶位,桥位,穴位)典型吸附位的吸附反应势能曲线,在每个吸附位上根据空间位阻最小和最佳成键方向考虑了OH-垂直进攻和倾斜进攻.结果表明: OH-在进攻三种吸附位时的活化能为零,顶位倾斜吸附最稳定,穴位吸附最不稳定.在顶位倾斜吸附位上Si原子被OH-拉出的反应活化能为1.01 eV,整个吸附脱附过程的活化能为3.29 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙岳明	东南大学化学化工学院	117	1074	17.0	25.0
2	王育乔	东南大学化学化工学院	11	113	4.0	10.0
3	王涓	东南大学化学化工学院	5	71	2.0	5.0
4	宋坤忠	东南大学化学化工学院	5	22	3.0	4.0
5	齐齐	东南大学化学化工学院	9	63	5.0	7.0