生长温度对MOCVD外延生长InGaN的影响

• 作者: 孙苋 朱建军 杨辉 梁骏吾 王海 王莉莉 王辉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaN X射线衍射 光致发光
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 257-259
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 1512字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.064

摘要

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN/蓝宝石复合衬底上生长了InGaN薄膜,并研究了生长温度对InGaN薄膜的In组分、结晶品质和发光特性的影响.实验中发现随着生长温度的降低,InGaN薄膜中的In组分提高,但结晶品质显著下降.X射线衍射(XRD)联动扫描的结果显示即使在In组分增大至0.57时也没有发现相分离现象,光致发光(PL)谱测量的结果表明InGaN薄膜的PL峰位随着In组分升高而向低能方向移动,半高宽随着In组分增加而增加.