ZnO:LiCl/p-Si薄膜中的施主-受主发光

• 作者: 傅竹西 刘磁辉 徐小秋 钟泽
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化锌薄膜 I-V特性 深能级 施主-受主发光
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 171-174
• 页数: 4页
• 分类号: O472+.4
• 字数: 2522字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.041

摘要

用溶胶凝胶法(sol-gel technique)在p-Si上制备LiCl:ZnO薄膜.试样分别进行O2-600℃,O2-900℃热退火处理.在77～325K温度范围内作电流-温度(I-T)和深能级瞬态谱(DLTS)测量.DLTS测量获得的两种试样中存在一个稳定的深能级中心.(I-T)测量证实这个深能级中心是与ZnO的本征缺陷相关的.室温PL谱测量得到两种试样存在较强的深能级发光,而紫外发光较弱.由实验结果推测,试样主要的深能级发光过程是电子从双离化Zni**施主能级向单离化V'zn受主能级的跃迁.在O2气氛退火作用下深能级的发光强度增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘磁辉	中国科技大学物理系	3	11	3.0	3.0
2	傅竹西	中国科技大学物理系	2	14	2.0	2.0
3	徐小秋	中国科技大学物理系	1	3	1.0	1.0
4	钟泽	中国科技大学物理系	1	3	1.0	1.0