新型光电探测器及其填充系数的确定

• 作者: 曾云 王太宏 胡磊 金湘亮
• 来源期刊: 光电工程
• 学科: 工学
• 关键词: 光电探测器 CMOS图像传感器 填充系数
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 光电器件与系统
• 页码范围: 76-79
• 页数: 4页
• 分类号: TP273
• 字数: 2193字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-501X.2007.07.017

摘要

详细分析了用于CMOS图像传感器的新型半导体光电器件的工作原理和光电特性,建立解析模型确定由其构成的像素单元的填充系数,优化光电响应特性.由于引入PN注入结,新型光电器件沟道电流同时存在电子电流和空穴电流,提高了器件的响应灵敏度,避免了大的寄生电容,提高了信噪比.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王太宏	湖南大学微电子研究所	38	322	11.0	16.0
2	曾云	湖南大学微电子研究所	102	899	13.0	27.0
3	金湘亮	中国科学院微电子研究所	14	209	6.0	14.0
4	胡磊	湖南大学微电子研究所	8	14	3.0	3.0