抗辐射128kb PDSOI静态随机存储器

• 作者: 于芳 刘忠立 洪根深 肖志强 赵凯 高见头
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 部分耗尽绝缘体上硅 静态随机存储器 加固设计
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1139-1143
• 页数: 5页
• 分类号: TP333.8
• 字数: 2348字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.07.028

摘要

介绍在部分耗尽绝缘体上硅(PD SOI)衬底上形成的抗辐射128kb静态随机存储器.在设计过程中,利用SOI器件所具有的特性,对电路进行精心的设计和层次化版图绘制,通过对关键路径和版图后全芯片的仿真,使得芯片一次流片成功.基于部分耗尽SOI材料本身所具有的抗辐射特性,通过采用存储单元完全体接触技术和H型栅晶体管技术,不仅降低了芯片的功耗,而且提高了芯片的总体抗辐射水平.经过测试,芯片的动态工作电流典型值为20mA@10MHz,抗总剂量率水平达到500krad(Si),瞬态剂量率水平超过2.45×1011 rad(Si)/s.这些设计实践必将进一步推动PD SOI CMOS工艺的研发,并为更大规模抗辐射电路的加固设计提供更多经验.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵凯	中国科学院半导体研究所	89	1212	16.0	33.0
3	刘忠立	中国科学院半导体研究所	77	412	12.0	14.0
5	于芳	中国科学院半导体研究所	28	112	6.0	9.0
7	高见头	中国科学院半导体研究所	4	16	1.0	4.0
9	肖志强		10	60	5.0	7.0