掺Si补偿Cu高阻n-GaAs单晶

• 作者: 于洪国 张海涛 武壮文 袁泽海 赵静敏 郑安生
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 掺Si补偿Cu n型GaAs 高阻 HB法
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 961-963,987
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.053
• 字数: 2633字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.11.011

摘要

用水平布里奇曼法(HB法)研制掺Si补偿Cu的n-GaAs高阻单晶.既要提高多晶背景纯度,减少总杂质含量(包括减少掺Cu量和掺Si量,单晶中Cu的质量分数要≤2.00×10-5,Si的质量分数要≤1.00×10-6),又要采用熔体Cu,Si双掺的方法生长单晶,将单晶切片,并划成圆片,然后分组放入炉内在确定温度下和一定时间内进行退火.研制中发现Cu主要集中在晶体表面,导致同一晶片的上部呈p型高阻,而中下部呈n型低阻,退火可使Cu在晶片中均匀分布.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	武壮文		2	0	0.0	0.0
2	郑安生		1	0	0.0	0.0
3	于洪国		2	0	0.0	0.0
4	赵静敏		1	0	0.0	0.0
5	袁泽海		1	0	0.0	0.0
6	张海涛		2	0	0.0	0.0