Si/CdTe复合衬底HgCdTe液相外延材料的生长与性能分析

• 作者: 徐庆庆 杨建荣 陈新强 陈路 魏彦锋
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si/CdTe复合衬底 HgCdTe 液相外延
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1078-1082
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 4790字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.07.015

摘要

通过改进推舟液相外延技术,成功地在(211)晶向Si/CdTe复合衬底上进行了HgCdTe液相外延生长,获得了表面光亮的HgCdTe外延薄膜.测试结果表明,(211)Si/CdTe复合衬底液相外延HgCdTe材料组分及厚度的均匀性与常规(111)CdZnTe衬底HgCdTe外延材料相当;位错腐蚀坑平均密度为(5～8)×105 cm-2,比相同衬底上分子束外延材料的平均位错密度要低一个数量级;晶体的双晶半峰宽达到70″左右.研究结果表明,在发展需要低位错密度的大面积长波HgCdTe外延材料制备技术方面,Si/CdTe复合衬底HgCdTe液相外延技术可发挥重要的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏彦锋	中国科学院上海技术物理研究所	22	117	6.0	9.0
2	杨建荣	中国科学院上海技术物理研究所	38	175	7.0	11.0
3	陈新强	中国科学院上海技术物理研究所	12	49	5.0	6.0
4	徐庆庆	中国科学院上海技术物理研究所	6	9	2.0	2.0
5	陈路	中国科学院上海技术物理研究所	14	27	4.0	4.0