ZnSe薄膜的化学反应辅助热壁外延法生长及特性研究

• 作者: 介万奇 李培森 李焕勇 白大伟 赵海涛
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Ⅱ-Ⅵ族化合物 ZnSe薄膜 化学促进热壁外延法
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 57-61,65
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 3792字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.01.013

摘要

本文通过将新型化学气相反应促进剂Zn(NH4)3Cl5引入到热壁外延系统中,以二元素单质Zn和Se为原料,直接在Si(111)衬底上生长了高质量的ZnSe晶体薄膜,薄膜成分接近理想化学计量比.研究了主要工艺参数对薄膜生长形貌和性能的影响.采用SEM、AFM、EDS和PL谱技术研究了生长的ZnSe薄膜的形貌、成分和发光特性.研究结果表明,热壁温度和生长时间是影响ZnSe薄膜形貌的主要因素;气相反应促进剂在薄膜生长和调节成分方面扮演了关键角色,Zn(NH4)3Cl5的存在使得Zn(g)和Se2(g)合成ZnSe晶体的反应转变为气固非一致反应,从而更容易获得近乎理想化学计量比的ZnSe薄膜.ZnSe薄膜在氦镉激光激发下,室温下PL谱由近带边发射和(VZn-ClSe)组合的SA发光组成,而在飞秒激光激发下,仅在481nm处显示出强烈的双光子发射峰.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学材料科学与工程学院	272	1636	19.0	27.0
2	李焕勇	西北工业大学材料科学与工程学院	34	199	6.0	13.0
3	白大伟	西北工业大学材料科学与工程学院	1	2	1.0	1.0
4	李培森	西北工业大学材料科学与工程学院	4	9	2.0	2.0
5	赵海涛	西北工业大学材料科学与工程学院	4	10	2.0	3.0